半导体设计与表征
Exploring the Physical Limits at the Micron and Nanometer Scale
探索微纳米级的物理极限
从半导体功耗分析到高速数字电路表征,我们提供最适合您的测量方案。
pain points & challenges
行业痛点与挑战
半导体研发是一场与物理极限的赛跑。极微弱的电流捕捉、超高速的信号翻转以及
严苛的温升可靠性,都需要极其精密的仪器支持,而这些仪器的资金门槛极高。
  • 极致精度要求
    极致精度要求
    需要纳安 (nA) 甚至飞安 (fA) 级别的电流分辨率,设备极其昂贵。
  • 高压宽禁带测试
    高压宽禁带测试
    第三代半导体 (GaN/SiC) 需要高压下的动态特性捕捉,普通仪器难以胜任。
  • 高速 SerDes 验证
    高速 SerDes 验证
    PCIe 5.0/6.0 等超高速接口的物理层表征对示波器带宽提出巨大挑战。
  • 资金配置压力
    资金配置压力
    初创设计公司固定资产投入巨大,设备更新速度快,导致折旧压力沉重。
Application Cases
行业应用案例
看我们的客户如何利用HTTX解决方案解决实际测试难题
01.
GaN 功率器件的亚微安级静态特性表征

一家致力于氮化镓 (GaN) 开关电源芯片研发的初创公司,需要对其功率管的击穿电压和漏电流进行精密测试。


通过 HTTX 提供的精密源测量单元 (SMU) 矩阵,客户实现了高达 3000V 的耐压测试,并能捕捉到 10fA 级别的静态电流波动,确保了器件的高可靠性。

GaN 功率器件的亚微安级静态特性表征
02.
为高速进化的先进制程提供可扩展的测试能力

降低研发投入

大幅降低初创研发企业的入门门槛


超长交付周期缩短

现货储备满足实验室即时扩容


灵活租赁模式

支持按项目进行的短期或长期租用


多品牌专家团队

精通Keysight、Keithley及 NI 等多品牌联调

为高速进化的先进制程提供可扩展的测试能力
升级您的测量实验室
我们的专家随时为您提供咨询,为您的特定项目量身定制仪器采购方案!
sales@httxinstrument.com
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